铠侠计划2027年量产BiCS10 NAND闪存：332层冲击更大存储容量
如今AI的铠侠火爆让存储厂商赚得是盆满钵满，尤其是计划铠侠这样的企业更是如此。丰厚的年量欧易利润也让厂商愿意投入更多的资源从事新一代闪存的研发，根据最新的产B存层冲击存储消息，铠侠计划在明年量产第十代BiCS FLASH产品，容量看起来比原定的铠侠2026年底延期了一段时间，BiCS10最高拥有332层的计划规格，主要用于超大容量SSD的年量制造，并且大概率还将针对AI市场对闪存进行特别的产B存层冲击存储优化，估计明年投产之后又是容量欧易强大的印钞机。
目前铠侠已经在BiCS 8中引入了最新的铠侠CBA技术，同时在2025年出样了基于最新CMOS技术打造的计划BiCS 9闪存颗粒，相关的年量产品也已经出炉，不过NAND闪存的产B存层冲击存储发展速度似乎已经跟不上AI的发展速度，各大AI超算平台以及数据中心都等待着更加出色的容量NAND闪存的推出，因此铠侠也加快了相关产品的研发与量产。
根据最新的报道，铠侠BiCS 10的存储堆叠层数可以达到332层，从而带来更大的存储空间以及速度，密度相比较现在的BiCS8能够提高59%，I/O速度也可以达到最高4.85Gbps，这几项数据都针对AI进行了特别的优化，估计铠侠未来搭载BiCS 10的SSD也是首发数据中心，普通消费者或许要等到2028年才能看到相关的产品。
本文地址：http://qkjo.ijjp3.cn/html/99b18099720.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。